1. DDR3分为几种
DDR3内存频率有1033、1600、2133、2400四种。
计算机系统的时钟速度是用频率来测量的。晶体振荡器控制时钟速度，当电压施加到石英芯片上时，它以正弦波的形式振动，可以通过芯片的变形和大小记录下来。
内存本身并不具备晶体振荡器,因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北大桥或直接由主板的时钟发生器,即内存无法决定自身的工作频率,其实际工作频率是由主板。
(1)ddr3内存扩展阅读：
DDR3的特点
1. 突发长度(提单)
由于DDR3的预取是8bit，所以突发长度(Burst Length, BL)也固定在8位，而BL=4也常用于DDR2和早期DDR体系结构系统，其中DDR3增加了一个4bit Burst Chop (sudden mutation)模式。
也就是说，一个BL=8的突发传输是由一个BL=4的读操作和一个BL=4的写操作合成的。此时，这个突发模式可以通过A12地址线来控制。还应该注意，在DDR3内存中，任何突发中断操作都将被禁用，并且不受支持，这有利于更灵活的突发传输控制(例如4位连续突发)。
2. 解决时间
正如DDR2从DDR转换为DDR2后延迟周期的数量增加一样，DDR3的CL循环也会比DDR2的CL循环有所改善。DDR2的CL范围一般在2 - 5之间，DDR3在5 - 11之间，附加延迟(AL)的设计也有所变化。
当DDR2时，AL的取值范围为0 ~ 4，而当DDR3时，AL的取值范围为0、cl-1、cl-2。此外，DDR3添加了一个新的定时参数，写延迟(CWD)，取决于具体的工作频率。
2. 内存DDR3低电压和一般正常的DDR3内存有什么区别它们是否可以通用
内存DDR3低电压术语为DDR3L,与正常的DDR3比较见下图。
其中标注PC3就代表该内存为标准版的DDR3，工作电压为1.5V。而标注PC3L的内存为低压版的DDR3L，工作电压为1.35V，区别就是工作电压不同。DDR3L不局限于Haswell，并且多数情况下可以和DDR3混搭使用。
3. 内存条DDR3和DDR4区别是什么
DDR3和DDR4的区别：
1、外观：DDR4内存金手指触点达到了284个，每一个触点间距只有0.85mm(DDR3内存金手指触点是240个，间距1mm)。因为这一改变，DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出，边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。
DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置也不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2、内存频率：频率方面，DDR3内存最高频率只能达到了2133。DDR4内存的起始频率就已经达到了2133，产品的最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
3、内存容量：DDR4内存容量提升明显，可达128GB，上一代DDR3内存，最大单条容量为64GB，实际市面上能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。
4、功耗：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低，上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
5、主板兼容：能兼容DDR4的只有Intel六代CPU对应的100系列主板和AMD新出的支持AM4接口的主板。而DDR3则几乎支持市面上能够买来的所有主板。
4. DDR3内存频率多少
DDR3频率分别是1066,1333,1600,2000MHz
第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为DDR3 SDRAM），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的存储器产品。
DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用来校准ODT（On Die Termination）内部中断电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入RASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。
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5. DDR3笔记本内存有几种
目前市场上只有两种。一种是PC3-8500.另外一种就是PC3-10600的内存。这个是指外频。8500的外频就是1066Mhz。10600的外频就是1333Mhz。这都是三代的内存都是通用的。他的区别就是内存的带宽不同。其他没有去去区别。两者也可以一块儿用。
6. 内存条ddr3是什么意思
全称DDR
3SDRAM,double
data
rate
type
three
synchronous
dynamic
random
access
memory的简写，即八倍资料率同步动态随机存取内存。
7. DDR3L的内存是什么意思
DDR3L的内存是电脑内存条，DDR3L全称“DDR3 Low Voltage”(低电压版DDR3)。
DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，新增了SRT可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化。
可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。
(7)ddr3内存扩展阅读
内存改进
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
参考资料来源：网络-DDR3
8. 内存DDR3啥意思啊
概述
针对Intel新型芯片的一代内存技术（但目前主要用于显卡内存），频率在800M以上，和DDR2相比优势如下：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
目前，DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
编辑本段设计
一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：
DDR3
1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：
1.突发长度（Burst Length，BL）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
2.寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
4.DDR3新增ZQ校准功能
ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
5.参考电压分成两个
在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）
这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
编辑本段发展
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从目前的情况来看，DDR2才刚开始普及，DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。
半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品，iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。
由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有：
更高的外部数据传输率
更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构
在保证性能的同时将能耗进一步降低
为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括：
8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。
采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。
编辑本段DDR3内存的技术改进
逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
封装（Packages）
DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
突发长度（BL，Burst Length）
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
寻址时序（Timing）
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
9. 目前的DDR3的内存规格~~
日前，一家名为ChileHardware的硬件网站透露了一组关于Intel下一代芯片组P35芯片主板的实物，映泰制造，它可谓支持DDR3内存的先行者。P35芯片组最高支持1066MHz的DDR3内存，支持1333MHz的处理器总线，支持Core 2 Duo，Core 2 Quad和Celeron 400系列处理器。根据Intel早前透露的芯片组路线图来看，下一代Bearlake芯片组将首先支持DDR3内存标准，最早将于2007年底亮相。
DDR3相比起DDR2有更高的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
也就是说，现在DDR3面世的最低为DDR3/800，目前最高是的DDR3/1066~
10. ddr3内存怎么选购
牌子 可以选择 威刚 宇瞻 金泰克 芝奇 等都不错
金士顿可以无视 由于是一线大牌子 所以市场上很多 二手翻新 水货 不是专业人士也看不出来
用了以后 会出现不稳定 蓝屏 打开网站很卡占用内存很高
内存 容量的大小 由于考虑到很快被淘汰的情况下 4G单根内存 要是觉得太贵可以选择 2G的
单根2G 才100多点 3代内存比二代还便宜。