Ⅰ 什麼是 DFB 光纖激光器
沒辦法股率失敗者刮伎
Ⅱ DFB激光器的工藝結構
製造工藝DFB晶元的製作工藝非常復雜，體現了半導體產品在生產製造上的最復雜程度，下表是DFB激光器的主要生產工藝流程（從材料生長到封裝的整個過程）： Process（工藝流程） Back End（後續處理） GaSb-processing（銻化鎵材料生長） cleaving（切割） coating / lift-off（鍍膜/剝離） facet coating（端面鍍膜） optical lithography（光學光刻） characterization（參數塑造） e-beam（電子束成象） mounting (TO-header)（安裝） vapor coating（氣相塗蓋） fiber coupling（光纖耦合） etching（蝕刻） burn-In（預燒） electroplating（電解沉積） ...... quality control（質量控制） …… DFB晶元結構設計DFB晶元大小：如下圖，晶元大小可以在成人大拇指上形象地看出來。
DFB晶元設計：晶元分為P極和N極，當注入p-n結的電流較低時，只有自發輻射產生，隨電流值的增大增益也增大，達閾值電流時，p-n結產生激光。其注入電流方向和激光發射示意圖如下：
Ⅲ DFB激光器的應用原理
一、光纖通訊
通訊是DFB的主要應用，如1310nm，1550nm DFB激光器的應用，這里主要介紹非通訊波段DFB激光器的應用。
二、可調諧半導體激光吸收光譜技術（TDLAS）
a) 過程式控制制 (HCl, O2 …)
b) 火災預警 (CO/CO2 ratio)
c) 成分檢測 (moisture in natural gas)
d) 醫療應用 (blood sugar, breath gas, helicobacter)
e) 大氣測量 (isotope composition of H2O, O2, CO)
f) 泄漏檢查 (Methane)
g) 安全 (H2S, HF)
h) 環境測量 (Ozone, Methane)
i) 科研 (Mars and space missions)
j) …
三、原子光譜學應用
k) 原子鍾 (GALILEO, chip scale atomic clock)
l) 磁力計 (SERF)
m) ...
四、新興市場
a) 精密測量 (Ellipsometry, 3D vision)
b) 夜視儀
c) 同位素監測 (distinction of 235UHF / 238UHF)
d) …
下表是DFB一些主要波長在激光氣體分析、原子鍾應用、Nd：YAG激光器種子源等領域上的應用： DFB中心波長 主要應用 DFB中心波長 主要應用 760/761/763nm 氧氣（O2）分析 1590nm 硫化氫（H2S）氣體分析 852nm CsD2銫原子鍾 1580/2330nm 一氧化碳（CO）氣體分析 894nm CsD1銫原子鍾 1579nm 一碳二碳（CO/CO2）同時分析 1392/1877/2740nm 水分子（H2O）分析 1654nm 甲烷（CH4）氣體分析 1064nm Nd:YAG激光器種子源 1742nm 氯化氫（HCl）氣體分析 1178nm 大功率光纖激光器種子源 1800nm/2650nm 一氧化氮（NO）氣體分析 1273nm 氟化氫（HF） 氣體分析 2004nm/2680nm 二氧化碳（CO2）氣體分析 1341nm 溴化氫（HBr） 氣體分析 2257nm 氧化二氮（N2O）氣體分析 1512nm 氨氣（NH3）氣體分析 3370nm 丙烷（C3H8）氣體分析 1540nm 氰化氫（HCN）氣體分析 ....... ...... 下圖是Harvard所研究的Hitran資料庫在750-3500nm之間的光譜吸收圖，可以作為大部分氣體分析的數據參考：
Ⅳ DFB激光器，什麼是DFB激光器
網路的定義：
DFB( Distributed Feedback Laser)，即分布式反饋激光器，其不同之處是內置了布拉格光柵（Bragg Grating），屬於側面發射的半導體激光器。目前，DFB激光器主要以半導體材料為介質，包括銻化鎵(GaSb）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。DFB激光器最大特點是具有非常好的單色性（即光譜純度），它的線寬普遍可以做到1MHz以內，以及具有非常高的邊模抑制比（SMSR），目前可高達40-50dB以上。
Ⅳ fp激光器與dfb激光器有什麼區別
DFB激光器的譜寬一般都比較窄，10MHz左右，甚至KHz量級的 而FP激光器的譜寬相對比較寬，是一個多縱模的激光器，譜寬一般都在nm級別，也就是幾百GHz了
北京中訊光普科技有限公司
Ⅵ DFB激光器的廠商現狀
當前，DFB激光器晶元技術基本上由德國、美國、日本等發達國家掌握，比如德國Nanoplus、Sacher、Eagleyard、Toptica公司，美國Thorlabs、EM4、Power Technology、Sarnoff公司，日本NTT、Oclaro等公司。廠商非常多，但能夠實現商業化生產的廠家並不多，主要有Nanoplus、Eagleyard、NTT、Thorlabs等幾家公司。
目前國內還沒有成熟的DFB晶元生產技術，由於成品率低基本上沒有形成商業化，國內生產的DFB激光器主要是基於對國外晶元的封裝生產，主要表現為對通訊波段的生產和應用。
Ⅶ DFB激光器的發展
DFB激光器的發展方向是，更寬的諧調范圍和更窄的線寬，在一個DFB激光器集成兩個獨立的光柵，實現更寬的波長諧調范圍，比如達到100nm諧調范圍，以及更窄的光譜線寬，最終用一個DFB激光器實現檢測多種氣體的功能；更長的中心波長，從750nm到3500nm，並逐漸往4000nm甚至更高的中心波長發展；更高的功率，由於目前DFB激光器功率普遍較低，高功率能夠實現長距離、多路等更廣泛的應用。
Ⅷ DFB激光器是脈沖激光器嗎，還有哪些是脈沖激光器的
蝶形激光器，光開關，光衰減器，光纖延遲線，光源
Ⅸ DFB激光器的輸出波長由什麼決定
DFB激光器波長的篩選和調諧簡單地說：
篩選：由內置光柵決定，一般DFB會內置半導體光柵或者金屬光柵，這個光柵類似諧振腔，這個腔由帶不同反射率的鏡面、折射率、腔長度決定。L=mλ/2n（L腔長度，m模數，λ波長，n折射率），通過設置腔長，折射率和選擇激光模數即可篩選出所要的波長。
調諧：調諧波長靠的是光柵折射率的變化實現的，△λ=λ/n*△n，當折射率變化的時候，DFB激光器的輸出波長也隨著變化，折射率的變化1）靠改變光柵的溫度實現，比較慢，2）靠改變輸入電流改變，比較快。
個人陋見，請指點。
Ⅹ dfb激光器和vcsel激光器驅動的區別
其實電源驅動上沒有太大的區別了，
vcsel激光器的效率會更高一些，閾值電流更小，同樣的輸出功率需要的工作電流更小