1. DDR3分為幾種
DDR3內存頻率有1033、1600、2133、2400四種。
計算機系統的時鍾速度是用頻率來測量的。晶體振盪器控制時鍾速度，當電壓施加到石英晶元上時，它以正弦波的形式振動，可以通過晶元的變形和大小記錄下來。
內存本身並不具備晶體振盪器,因此內存工作時的時鍾信號是由主板晶元組的北大橋或直接由主板的時鍾發生器,即內存無法決定自身的工作頻率,其實際工作頻率是由主板。
(1)ddr3內存擴展閱讀：
DDR3的特點
1. 突發長度(提單)
由於DDR3的預取是8bit，所以突發長度(Burst Length, BL)也固定在8位，而BL=4也常用於DDR2和早期DDR體系結構系統，其中DDR3增加了一個4bit Burst Chop (sudden mutation)模式。
也就是說，一個BL=8的突發傳輸是由一個BL=4的讀操作和一個BL=4的寫操作合成的。此時，這個突發模式可以通過A12地址線來控制。還應該注意，在DDR3內存中，任何突發中斷操作都將被禁用，並且不受支持，這有利於更靈活的突發傳輸控制(例如4位連續突發)。
2. 解決時間
正如DDR2從DDR轉換為DDR2後延遲周期的數量增加一樣，DDR3的CL循環也會比DDR2的CL循環有所改善。DDR2的CL范圍一般在2 - 5之間，DDR3在5 - 11之間，附加延遲(AL)的設計也有所變化。
當DDR2時，AL的取值范圍為0 ~ 4，而當DDR3時，AL的取值范圍為0、cl-1、cl-2。此外，DDR3添加了一個新的定時參數，寫延遲(CWD)，取決於具體的工作頻率。
2. 內存DDR3低電壓和一般正常的DDR3內存有什麼區別它們是否可以通用
內存DDR3低電壓術語為DDR3L,與正常的DDR3比較見下圖。
其中標注PC3就代表該內存為標准版的DDR3，工作電壓為1.5V。而標注PC3L的內存為低壓版的DDR3L，工作電壓為1.35V，區別就是工作電壓不同。DDR3L不局限於Haswell，並且多數情況下可以和DDR3混搭使用。
3. 內存條DDR3和DDR4區別是什麼
DDR3和DDR4的區別：
1、外觀：DDR4內存金手指觸點達到了284個，每一個觸點間距只有0.85mm(DDR3內存金手指觸點是240個，間距1mm)。因為這一改變，DDR4的內存金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
DDR4 模組上的卡槽與 DDR3 模組卡槽的位置也不同。兩者的卡槽都位於插入側，但 DDR4 卡槽的位置稍有差異，以便防止將模組安裝到不兼容的主板或平台中。
2、內存頻率：頻率方面，DDR3內存最高頻率只能達到了2133。DDR4內存的起始頻率就已經達到了2133，產品的最高頻率達到了3000，從內存頻率來看，DDR4相比DDR3提升很大。
3、內存容量：DDR4內存容量提升明顯，可達128GB，上一代DDR3內存，最大單條容量為64GB，實際市面上能買到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4內存，單條容量最大可以達到128GB，媲美SSD了。
4、功耗：DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低，上一代DDR3內存，採用1.5V標准電壓，而DDR4內存則降低為1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省電，並且可以減少內存的發熱。
5、主板兼容：能兼容DDR4的只有Intel六代CPU對應的100系列主板和AMD新出的支持AM4介面的主板。而DDR3則幾乎支持市面上能夠買來的所有主板。
4. DDR3內存頻率多少
DDR3頻率分別是1066,1333,1600,2000MHz
第三代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR3 SDRAM），是一種電腦存儲器規格。它屬於SDRAM家族的存儲器產品，提供了相較於DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍數據率同步動態隨機存取存儲器）的後繼者（增加至八倍），也是現時流行的存儲器產品。
DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用了SSTL 15的I/O介面，運作I/O電壓是1.5V，採用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
CWD是作為寫入延遲之用，Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3 SDRAM內存顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式，ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能，新增這個線路腳位提供了ODCE（On Die Calibration Engine）用來校準ODT（On Die Termination）內部中斷電阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可編程化溫度控制內存時脈功能，SRT的加入讓內存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化，可以說在內存內，就做了電源管理的功能，同時讓內存顆粒的穩定度也大為提升，確保內存顆粒不致於工作時脈過高導致燒毀的狀況，同時DDR3 SDRAM還加入RASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以說針對整個內存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
、
5. DDR3筆記本內存有幾種
目前市場上只有兩種。一種是PC3-8500.另外一種就是PC3-10600的內存。這個是指外頻。8500的外頻就是1066Mhz。10600的外頻就是1333Mhz。這都是三代的內存都是通用的。他的區別就是內存的帶寬不同。其他沒有去去區別。兩者也可以一塊兒用。
6. 內存條ddr3是什麼意思
全稱DDR
3SDRAM,double
data
rate
type
three
synchronous
dynamic
random
access
memory的簡寫，即八倍資料率同步動態隨機存取內存。
7. DDR3L的內存是什麼意思
DDR3L的內存是電腦內存條，DDR3L全稱「DDR3 Low Voltage」(低電壓版DDR3)。
DDR3是一種計算機內存規格。它屬於SDRAM家族的內存產品，提供了相較於DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，新增了SRT可編程化溫度控制內存時脈功能，SRT的加入讓內存顆粒在溫度、時脈和電源管理上進行優化。
可以說在內存內，就做了電源管理的功能，同時讓內存顆粒的穩定度也大為提升，確保內存顆粒不致於工作時脈過高導致燒毀的狀況，同時DDR3 SDRAM還加入PASR局部Bank刷新的功能，可以說針對整個內存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效。
(7)ddr3內存擴展閱讀
內存改進
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。
2、封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
參考資料來源：網路-DDR3
8. 內存DDR3啥意思啊
概述
針對Intel新型晶元的一代內存技術（但目前主要用於顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優勢如下：
(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控製成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易於被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由於能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度彌補了延遲時間較長的缺點，同時還可作為顯卡的賣點之一，這在搭配DDR3顯存的顯卡上已有所表現。
(3)降低顯卡整體成本：DDR2顯存顆粒規格多為4M X 32bit，搭配中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數減少後，顯存功耗也能進一步降低。
(4)通用性好：相對於DDR變更到DDR2，DDR3對DDR2的兼容性更好。由於針腳、封裝等關鍵特性不變，搭配DDR2的顯示核心和公版設計的顯卡稍加修改便能採用DDR3顯存，這對廠商降低成本大有好處。
目前，DDR3顯存在新出的大多數中高端顯卡上得到了廣泛的應用。
編輯本段設計
一、DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：
DDR3
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。
二、DDR3與DDR2幾個主要的不同之處 ：
1.突發長度（Burst Length，BL）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
2.定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
3.DDR3新增的重置（Reset）功能
重置是DDR3新增的一項重要功能，並為此專門准備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能，如今終於在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內存將停止所有操作，並切換至最少量活動狀態，以節約電力。
在Reset期間，DDR3內存將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉，所有內部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鍾電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
4.DDR3新增ZQ校準功能
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數據輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後，將用相應的時鍾周期（在加電與初始化之後用512個時鍾周期，在退出自刷新操作後用256個時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
5.參考電壓分成兩個
在DDR3系統中，對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。
6.點對點連接（Point-to-Point，P2P）
這是為了提高系統性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。而在內存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高級內存緩沖器）。
面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢，此外，由於DDR3所採用的根據溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內存的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel所推出的新晶元-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規格，而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。
編輯本段發展
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開始開發DDR3內存標准，但從目前的情況來看，DDR2才剛開始普及，DDR3標准更是連影也沒見到。不過目前已經有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開發出了DDR3內存晶元，從中我們彷彿能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經有晶元可以生產出來這一點來看，DDR3的標准設計工作也已經接近尾聲。
半導體市場調查機構iSuppli預測DDR3內存將會在2008年替代DDR2成為市場上的主流產品，iSuppli認為在那個時候DDR3的市場份額將達到55%。不過，就具體的設計來看，DDR3與DDR2的基礎架構並沒有本質的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發展所面臨的限制而催生的產物。
由於DDR2內存的各種不足，制約了其進一步的廣泛應用，DDR3內存的出現，正是為了解決DDR2內存出現的問題，具體有：
更高的外部數據傳輸率
更先進的地址/命令與控制匯流排的拓樸架構
在保證性能的同時將能耗進一步降低
為了滿足這些要求，DDR3內存在DDR2內存的基礎上所做的主要改進包括：
8bit預取設計，DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有介面頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
採用點對點的拓樸架構，減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。
編輯本段DDR3內存的技術改進
邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶元的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了准備。
封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。
9. 目前的DDR3的內存規格~~
日前，一家名為ChileHardware的硬體網站透露了一組關於Intel下一代晶元組P35晶元主板的實物，映泰製造，它可謂支持DDR3內存的先行者。P35晶元組最高支持1066MHz的DDR3內存，支持1333MHz的處理器匯流排，支持Core 2 Duo，Core 2 Quad和Celeron 400系列處理器。根據Intel早前透露的晶元組路線圖來看，下一代Bearlake晶元組將首先支持DDR3內存標准，最早將於2007年底亮相。
DDR3相比起DDR2有更高的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由於目前最為快速的DDR2內存速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內存模組將會從1333Mhz的起跳。
也就是說，現在DDR3面世的最低為DDR3/800，目前最高是的DDR3/1066~
10. ddr3內存怎麼選購
牌子 可以選擇 威剛 宇瞻 金泰克 芝奇 等都不錯
金士頓可以無視 由於是一線大牌子 所以市場上很多 二手翻新 水貨 不是專業人士也看不出來
用了以後 會出現不穩定 藍屏 打開網站很卡佔用內存很高
內存 容量的大小 由於考慮到很快被淘汰的情況下 4G單根內存 要是覺得太貴可以選擇 2G的
單根2G 才100多點 3代內存比二代還便宜。