⑴ 氧化鎵的化學符號
氧化鎵別名三氧化二鎵 氧化鎵(Ga2O3)
⑵ 氧化鎵的化學性質是什麼
氧化鎵,外觀呈白色結晶粉末，不溶於水和稀酸溶液與鹼金屬氧化物在高溫下反應可生成鎵鹽。其熔點為 1740 ℃。 氧化鎵（Ga2O3）是一種寬頻半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。-Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作於Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
⑶ 氫氣還原氧化銦、氧化鎵熱力學問題
從熱力學上看, 根據還原反應的自由能的計算就可判定氧化物是否能用氫氣還原。金屬氧化物(M xO y ) 與H2 在一定溫度下發生反應:M xO y+ yH2= yH2O + xM。該反應的進行由平衡常數
p H2O/p H2來決定。此比值為水蒸氣和氫氣分壓之比。平衡常數與生成自由能的關系為:
ΔF = - RTln pH2O/pH2 (1)
式中: ΔF 為生成自由能; R 為摩爾氣體常數; T 為絕對溫度
請你根據上述結合反應條件計算一下反應的可能性。
⑷ 氧化鎵的化學性質
Ga2O3能與氟氣反應，生成GaF3，Ga2O3溶於50%的HF中得到產物GaF3·3H2O. Ga2O3能溶於微熱的稀硝酸、稀鹽酸和稀硫酸中。經過灼燒的Ga2O3不溶於這些酸甚至於濃硝酸，也不溶於強鹼的水溶液中，只能通過NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。與過量兩倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化鎵。在紅熱時，Ga2O3與石英反應形成玻璃體，但冷卻時沒有新化合物生成。紅熱時也能和上釉的瓷坩堝發生反應。
在加熱的條件下，Ga2O3能與許多金屬氧化物發生反應。現已測定了鹼金屬氧化物反應（高於400℃）所得到的鎵酸鹽M(I)GaO2的晶體結構，與Al2O3和Ln2O3一樣，它與MgO、ZnO、CoO、NiO和CuO反應能形成尖晶石型的M(II)Ga2O4. 與三價金屬氧化物反應的產物M(III)GaO3通常有鈣鈦礦或石榴石型結構（如鑭系鎵酸鹽LnGaO3). 而且有更為復雜的三元氧化物。人們研究過有關用於激光、磷光和發光材料的鎵的混合氧化物。認為鎵酸鹽的發光性質歸之於氧的空缺。因為FeGaO3有令人感興趣的電磁性質（即壓電性和鐵磁性），所以它的合成、穩定性和晶體結構已被人們廣泛地研究。
Ga2-xFexO3(x≈1)屬於正交晶體，晶胞參數是：a=8.75A，b=9.40A，c=5.07A，配位數為8，熔融溫度是1750℃，密度是5.53g/cm3。NiO·Fe2-xGaxO3的磁性和晶體結構也被研究過。 1、氫鍵供體數量：0
2、氫鍵受體數量：3
3、可旋轉化學鍵數量：0
4、拓撲分子極性表面積（TPSA）：43.4
5、重原子數量：5
6、表面電荷：0
7、復雜度：34.2
8、同位素原子數量：0
9、確定原子立構中心數量： 0
10、不確定原子立構中心數量：0
11、確定化學鍵立構中心數量：0
12、不確定化學鍵立構中心數量：0
13、共價鍵單元數量：1
⑸ 氧化鎵可以做絕緣層嗎
可以，氧化鎵是一種透明的氧化物半導體材料，本身就被用作於鎵基半導體材料的絕緣層。
⑹ 氫氧化鎵能否與氫氧化納反應
可以。因為氫氧化鎵是兩性氫氧化物，並且酸性強於鹼性，易溶於鹼金屬氫氧化物；比如氫氧化鈉。在網路上面有。
⑺ 氧化鎵的化學式么寫
氧化鎵的化學式的化學式為：Ga2O3
⑻ 氫氧化鈉與氫氧化鎵反應方程式
Ga(OH)
3
+NaOH==NaGaO
2
+2H
2
O
鎵的化學活潑性比鋁低，和鋁類似，鎵也是兩性金屬元素，主要氧化態為+1和+3。氫氧化鎵與氫氧化鋁性質相似，但Ga(OH)
3
的酸性更強
⑼ 為什麼硫化鎵中鎵是4配位而氧化鎵中鎵是6配位的
為什麼硫化鎵中鎵是4配位而氧化鎵中鎵是6配位的?
硫化鎵中的鎵的化合價是+3價。
硫化鎵化學式:Ga2S3。
⑽ 氧化鎵的應用
用作高純分析試劑、用於電子工業半導體材料制備。